H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 33/02 (2010.01) H01L 33/04 (2010.01) H01L 33/06 (2010.01)
Patent
CA 2528719
A nitride semiconductor light emitting device is provided. The nitride semiconductor light emitting device includes: an n-type nitride semiconductor layer; an Incontaining super lattice structure layer formed above the n-type nitride semiconductor layer; a first electrode contact layer formed above the super lattice structure layer; a first cluster layer formed above the first electrode contact layer; a first In-containing nitride gallium layer formed above the first cluster layer ; a second cluster layer formed above the first In-containing nitride gallium layer ; an active layer formed above the second cluster layer , for emitting light; a p-type nitride semiconductor layer formed above the active layer; and a second electrode contact layer formed above the p-type nitride semiconductor layer.
L'invention concerne un dispositif électroluminescent semi-conducteur au nitrure. Ledit dispositif comprend: une couche semi-conductrice de nitrure de type n; une couche à structure super-réseau contenant In formée sur la couche semi-conductrice de nitrure de type n; une première couche de contact d'électrode formée sur la première couche à structure super-réseau, une première couche d'agrégats formée sur la première couche de contact d'électrode; une première couche de nitrure de gallium contenant In formée sur la première couche d'agrégats; une seconde couche d'agrégats formée sur la couche de nitrure de gallium contenant In; une couche active formée sur la seconde couche d'agrégats permettant d'émettre de la lumière; une couche semi-conductrice de nitrure de type p formée sur la couche active; et une seconde couche de contact d'électrode formée sur la couche semi-conductrice de nitrure de type p.
Lg Innotek Co. Ltd.
Oyen Wiggs Green & Mutala Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2022526