Noise reduced photon detector

Details Noise reduced photon detector Noise reduced photon detector

H - Electricity

01

L

H01L 31/101 (2006.01) H01L 27/146 (2006.01)

Patent

CA 2291537

A noise reduced photon detector incorporates an array (10) of semiconductor diode detector elements (12). Each element (12) has an extrinsic active layer (20) sandwiched between two layers (18, 22) of wider bandgap and mutually opposite conductivity type. These layers are in turn sandwiched between two further layers (16, 24) of wider bandgap than the active layer (20) and of higher doping than the other layers (18, 22). A mirror (34) extends round much the array (10) and isolates each element (12) from photons emitted by other elements (12). In operation the elements (12) are reverse biased and exhibit negative luminescence which reduces their photon emission. These two effects reduce unwanted photon generation and absorption, and consequently photon noise is also reduced.

La présente concerne un détecteur de photons à bruit réduit qui comporte une matrice (10) d'éléments détecteurs à diodes semi-conductrices (12). Chaque élément (12) a une couche extrinsèque active (20) prise en sandwich entre deux couches (18, 22) de plus grande largeur de bande interdite et de conductivité mutuellement opposée. Ces couches sont à leur tour prises en sandwich entre deux couches supplémentaires (16, 24) de plus grande largeur de bande interdite que la couche active (20) et à dopage plus élevé que les autres couches (18, 22). Un miroir (34) entoure la majeure partie de la matrice (10) et isole chaque élément (12) des photons émis par les autres éléments (12). En fonctionnement, les éléments (12) sont inversement polarisés et présentent une luminescence négative qui réduit leur émission de photons. Ces deux effets réduisent la production et l'absorption de photons indésirables, et par conséquent le bruit de photons est également réduit.

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