G - Physics – 01 – N
Patent
G - Physics
01
N
G01N 21/35 (2006.01) G01B 11/02 (2006.01) G01B 11/06 (2006.01) G01N 21/21 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
Patent
CA 2328624
A method for the determination of parameters of interests of a semiconductor sample is provided. For example, the thickness of an epitaxial or implanted layer, the thickness of a transition layer, and the concentration of free carriers in a substrate layer may be determined without having to destroy the semiconductor sample in the process. In an embodiment, a method starts by measuring an experimental reflectance spectrum of the semiconductor (202). An analytical model of the semiconductor having a film layer, a transition layer and a substrate layer is then constructed (208). Next, optical constants n and k for the film layer, transition layer, and substrate layer are expressed as a function of doping level (210). A profile of the transition layer is determined (211), and if an abrupt profile exists, the transition layer is further modeled as having a plurality of sections, wherein each of the sections is assigned an s-polarization matrix and a p-polarization matrix. An overall modeled reflectance spectrum is then calculated (212) and the parameters therein are varied to achieve a best fit relationship with the experimental reflectance spectrum (214). Thus, the parameter of interest can be determined (216).
La présente invention concerne un procédé permettant de déterminer des paramètres intéressants d'un échantillon de semi-conducteur. Par exemple, l'épaisseur d'une couche épitaxiale ou implantée, l'épaisseur d'une couche de transition, et la concentration de vecteurs libres dans une couche de substrat peuvent être évaluées sans avoir à détruire l'échantillon de semi-conducteur à l'occasion du processus. Selon une réalisation, le procédé consiste d'abord à mesurer un spectre de réflectance expérimentale du semi-conducteur (202). On construit alors un modèle analytique (208) du semi-conducteur se décomposant en une couche de film, une couche de transition et une couche de substrat. On exprime ensuite les constantes optiques n et k de la couche de film, de la couche de transition et de la couche de substrat sous forme d'une fonction du niveau de dopage (210). Le procédé consiste alors à déterminer un profil de la couche de transition (211). Si ce profil donne une courbe abrupte, on poursuit la modélisation sous forme d'une pluralité de sections, une matrice à polarisation s et une matrice à polarisation p étant affectées à chacune des sections. Il ne reste plus qu'à calculer un spectre d'ensemble des réflectances modélisées (212) puis qu'à faire varier les valeurs des paramètres du spectre pour rechercher la meilleure concordance possible avec le spectre de réflectance expérimentale (214), et de la sorte calculer le paramètre considéré (216).
Cherkassky Alexander P.
Fetherstonhaugh & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1927836