G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 7/12 (2006.01) G11C 8/08 (2006.01) G11C 11/22 (2006.01)
Patent
CA 2437050
In a method for determining the logic state of memory cells in a passive matrix-addressable data storage device with word and bit lines, components of current response are detected and correlated with a probing voltage, and a time-dependent potential is applied on selected word and bit lines or groups thereof, said potentials being mutually coordinated in magnitude and time such that the resulting voltages across all or some of the non-addressed cells at the crossing points between inactive word lines and active bit lines are brought to contain only negligible voltage components that are temporally correlated with the probing voltage. A first apparatus according to the invention for performing the method provides sequential readout of all memory cells on an active word line (AWL) by means of detection circuits (3; 4). An active word line (AWL) is selected by a multiplexer (7), while inactive word lines (IWL) are clamped to ground during readout. A second apparatus for performing the method is rather similar, but has only a single detection circuit (3, 4). An active word line (AWL) is selected by multiplexer (7) and a bit line (ABL) is selected by a multiplexer (9) provided between one end of the bit lines (BL) and the input of the detection circuit (3, 4), while inactive word and bit lines (IWL; IBL) are clamped to ground during readout.
Cette invention se rapporte à un procédé servant à déterminer l'état logique de cellules de mémoire dans un dispositif de stockage de données à adressage matriciel passif avec lignes de mots et de bits. Dans ce procédé, les composantes d'une réponse de courant sont détectées et mises en corrélation avec une tension de sondage, et un potentiel dépendant du temps est appliqué à des lignes de mots et de bits sélectionnées ou à des groupes de ces lignes, ces potentiels étant coordonnés mutuellement en amplitude et en temps, pour que les tensions qui en résultent à travers la totalité ou une partie des cellules non adressées aux points de croisement entre des lignes de mots inactives et des lignes de bits actives soient amenées à ne contenir que les composantes de tension négligeables qui sont temporairement mises en corrélation avec la tension de sondage. Un premier appareil faisant l'objet de cette invention, qui sert à réaliser ce procédé, assure la lecture séquentielle de toutes les cellules de mémoire sur une ligne de mots active (AWL) au moyen de circuits de détection (3; 4). Une ligne de mots active (AWL) est sélectionnée par un multiplexeur (7), alors que des lignes de mots inactives (IWL) sont calées à la terre pendant la lecture. Un second appareil de réalisation de ce procédé est plus ou moins similaire, à la différence qu'il ne contient qu'un seul circuit de détection (3, 4). Une ligne de mots active (AWL) est sélectionnée par un multiplexeur (7) et une ligne de bits (ABL) est sélectionnée par un multiplexeur (9) placé entre une extrémité des lignes de bits (BL) et l'entrée du circuit de détection (3, 4), pendant que les lignes de mots et de bits inactives (IWL; IBL) sont calées à la terre pendant la lecture.
Gudesen Hans Gude
Leistad Geirr I.
Nordal Per-Erik
Ogilvy Renault Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Thin Film Electronics Asa
LandOfFree
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