G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 7/20 (2006.01) G11C 8/08 (2006.01) G11C 8/12 (2006.01) G11C 11/40 (2006.01)
Patent
CA 2644493
In a nonvolatile memory, less than a full block maybe erased as one or more pages. A select voltage is applied through pass transistors to each of plural selected wordlines and an unselect voltage is applied through pass transistor to each of plural unselected wordlines of a selected block. A substrate voltage is applied to the substrate of the selected block. A common select voltage may be applied to each selected wordline and the common unselect voltage may be applied to each unselected wordline. Select and unselect voltages may be applied to any of the wordlines of a select block. A page erase verify operation may be applied to a block having plural erased pages and plural nonerased pages.
La présente invention concerne une mémoire non volatile dans laquelle moins d'un bloc complet peut être écrasé en tant qu'une ou plusieurs pages. Une tension de sélection est appliquée par des transistors ballast à chacune de la pluralité des lignes de mots sélectionnées et une tension de non sélection est appliquée par des transistors ballast à chacune de la pluralité des lignes de mots non sélectionnées d'un bloc sélectionné. Une tension de substrat est appliquée au substrat du bloc sélectionné. Une tension de sélection commune peut être appliquée à chaque ligne de mots sélectionnée et la tension commune de non sélection peut être appliquée à chaque ligne de mot non sélectionnée. Des tensions de sélection et de non sélection peuvent être appliquées à n'importe laquelle des lignes de mots d'un bloc de sélection. Une opération de vérification d'effacement de page peut être appliquée à un bloc ayant plusieurs pages effacées et plusieurs pages non effacées.
Mosaid Technologies Incorporated
Sumi Shuji
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1592011