Nonvolatile content addressable memory

Details Nonvolatile content addressable memory Nonvolatile content addressable memory

G - Physics

11

C

G11C 15/04 (2006.01) G11C 11/22 (2006.01) G11C 11/56 (2006.01)

Patent

CA 2210643

Binary and multiple-valued nonvolatile content addressable memories (NVCAMs) use ferroelectric capacitors (634, 644, 714, 910, 918, 965, 976) as nonvolatile storage elements. The operation of the NVCAMs is accessed either in serial or in parallel. In a 2-bit NVCAM of a parallel access structure, search operation is performed by a simultaneous access to a 4-level polarization of the ferroelectric capacitor. The total number of search operations is reduced.

Cette invention concerne des mémoires adressables à contenu rémanent, binaires et à valeurs multiples (NVCAM), lesquelles utilisent des condensateurs ferroélectriques (634, 644, 714, 910, 918, 965, 976) en tant qu'éléments de stockage rémanents. L'accès à l'exploitation des NVCAM se fait soit en série, soit en parallèle. Dans une NVCAM à 2 bits possédant une structure d'accès parallèle, l'opération de recherche se fait par l'accès simultané à une polarisation à 4 niveaux du condensateur ferroélectrique. Le nombre total des opérations de recherche effectuées peut ainsi être réduit.

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