G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/15 (2006.01)
Patent
CA 2211699
A memory cell (198) including a storage element having a first structure (214) with a plurality of layers having magnetization vectors associated therewith, the first structure (214) exhibiting giant magnetoresistance, wherein the storage element has a closed flux structure in at least one dimension, and wherein the magnetization vectors are confined to the least one dimension during all stages of operation of the storage element. The memory cell includes a means (210) for reading information from and writing information to the first structure and a selection conductor (206) for applying one or more selection signals to the storage element to enable reading from and writing to the first structure. In one embodiment, the reading and writing means includes a read conductor electrically coupled to the first structure, and a write conductor electrically isolated from the read conductor and the first structure. In a second embodiment, the reading and writing means is a single conductor electrically coupled to the first structure.
Mémoire (198) comportant un élément de stockage présentant une première structure (214) multicouche associée à des vecteurs de magnétisation et possédant une très importante magnétorésistance. L'élément de stockage présente une structure à flux fermé dans au moins une dimension et les vecteurs de magnétisation sont confinés à cette ou ces dimensions pendant toutes les phases de fonctionnement de l'élément de stockage. La mémoire comporte en outre un moyen de lecture/écriture (210) de l'information dans la première structure, et un conducteur de sélection (206) envoyant un ou plusieurs signaux de sélection à l'élément de stockage pour permettre la lecture/écriture de la première structure. Dans une variante, les moyens de lecture/écriture comportent un conducteur de lecture relié électriquement à la première structure et un conducteur d'écriture isolé du conducteur de lecture et de la première structure; dans une autre variante, les moyens de lecture et d'écriture forment un seul conducteur relié électriquement à la première structure.
Spitzer Richard
Torok James
Integrated Magnetoelectronics
Integrated Microtransducer Electronics Corporation
Oyen Wiggs Green & Mutala Llp
LandOfFree
Nonvolatile magnetoresistive memory with fully closed-flux... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Nonvolatile magnetoresistive memory with fully closed-flux..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Nonvolatile magnetoresistive memory with fully closed-flux... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1674731