Normally-off integrated jfet power switches in wide bandgap...

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H - Electricity

01

L

H01L 29/76 (2006.01)

Patent

CA 2589031

Wide bandgap semiconductor devices including normally-off VJFET integrated power switches are described. The power switches can be implemented monolithically or hybridly, and may be integrated with a control circuit built in a single-or multi-chip wide bandgap power semiconductor module. The devices can be used in high-power, temperature-tolerant and radiation-resistant electronics components. Methods of making the devices are also described.

L'invention concerne des dispositifs semi-conducteurs à grande largeur de bande interdite comprenant des interrupteurs de puissance intégrés VJFET normalement déconnectés. Les interrupteurs de puissance peuvent être mis en oeuvre de manière monolithique ou hybride, et peuvent être intégrés avec un circuit de commande dans un module semi-conducteur de puissance à grande largeur de bande interdite à une seule puce ou multipuce. Les dispositifs peuvent être utilisés dans des composants électroniques haute puissance, supportant les températures élevées et résistant au rayonnement. L'invention concerne en outre des procédés de fabrication de ces dispositifs.

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