Offset drain fermi-threshold field effect transistors

Details Offset drain fermi-threshold field effect transistors Offset drain fermi-threshold field effect transistors

H - Electricity

01

L

H01L 29/78 (2006.01)

Patent

CA 2346416

An offset drain Fermi-threshold field effect transistor (Fermi-FET) includes spaced apart source and drain regions in an integrated circuit substrate, and a Fermi-FET channel in the integrated circuit substrate, between the spaced apart source and drain regions. A gate insulating layer is on the integrated circuit substrate between the spaced apart source and drain regions, and a gate electrode is on the gate insulating layer. The gate electrode is closer to the source region than to the drain region. Stated differently, the drain region is spaced farther away from the gate electrode than the source region. The offset drain Fermi-FET can introduce a drift region between the drain region and the Fermi-FET channel that can provide the high voltage and/or high frequency Fermi-FETs, while retaining the Fermi-FET advantages in the channel.

L'invention porte sur un transistor à effet de champ à seuil de Fermi (Fermi-FET) et à drain décalé qui comprend des régions espacées de source et de drain et un canal dans un substrat de circuit intégré, le canal se trouvant entre les régions espacées de source et de drain. Une couche d'isolation de grille est appliquée sur le substrat du circuit intégré entre les régions espacées de source et de drain, et une électrode de grille est placée sur la couche d'isolation de grille. L'électrode de grille est plus proche de la région de source que de la région de drain. Dans une autre disposition, la région de drain est plus espacée de l'électrode de grille que la région de source. Le Fermi-FET à drain décalé peut introduire une région de dérive entre la région de drain et le canal du Fermi-FET, ce qui permet d'obtenir des Fermi-FET haute tension et/ou haute fréquence tout en conservant les avantages du Fermi-FET dans le canal.

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