On-axis mask and wafer alignment system

H - Electricity – 01 – L

Patent

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Details

H01L 21/68 (2006.01)

Patent

CA 2202377

An on-axis through the lens optical alignment system for use in semiconductor manufacturing using step and scan photolithographic techniques. An optical alignment system uses a partially common path with the projection optics (16) optical axis (38) in order to detect alignment targets on a wafer (10) and a mask (20). The relative position of the mask (20) and wafer (10) is detected during a single simultaneous scan, and the mask (20) and wafer (10) are resultantly aligned. This provides advantages over prior art multiple channel off-axis through the lens alignment systems and single channel non-through the lens alignment systems. A detailed optical apparatus (60) is disclosed.

L'invention concerne un système d'alignement optique à lentilles, effectuant l'alignement sur l'axe. Ce système est destiné à la fabrication de semi-conducteurs, utilisant des techniques photolithographiques par balayages répétés. Un système d'alignement optique utilise une trajectoire en partie commune avec l'axe optique (38) du système optique de projection (16), pour détecter les cibles d'alignement sur une tranche de silicium (10) et sur un masque (20). La position relative du masque (20) par rapport à la tranche (10) est déterminée par un seul balayage simultané, qui permet d'aligner le masque (20) et la tranche de silicium (10). Ceci est avantageux par comparaison avec les systèmes d'alignement de l'art antérieur à canaux multiples, effectuant l'alignement par les lentilles et en dehors de l'axe, et les systèmes d'alignement de l'art antérieur à canal unique, effectuant l'alignement en dehors des lentilles. On décrit en détail un appareil optique (60).

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