Optical crossover in thin silicon

Details Optical crossover in thin silicon Optical crossover in thin silicon

G - Physics

02

B

G02B 6/125 (2006.01)

Patent

CA 2560845

An arrangement for providing optical crossovers between waveguides formed in an SOI-based structure utilize a patterned geometry in the SOI structure that is selected to reduce the effects of crosstalk in the area where the signals overlap. Preferably, the optical signals are fixed to propagate along orthogonal directions (or are of different wavelengths) to minimize the effects of crosstalk. The geometry of the SOI structure is patterned to include predetermined tapers and/or reflecting surfaces to direct/shape the propagating optical signals. The patterned waveguide regions within the optical crossover region may be formed to include overlying polysilicon segments to further shape the propagating beams and improve the coupling efficiency of the crossover arrangement.

L'invention concerne un ensemble destiné à fournir des recouvrements optiques entre des guides d'ondes formés dans une structure SOI, utilisant une géométrie structurée dans la structure SOI qui est sélectionnée pour réduire les effets de la diaphonie dans la zone où les signaux se chevauchent. De préférence, les signaux optiques sont fixés pour se propager dans des directions orthogonales (ou sont de longueurs d'ondes différentes), de manière à minimiser les effets de la diaphonie. La géométrie de la structure SOI est structurée de façon à présenter des surfaces réfléchissantes et/ou biseaux prédéterminés destinés à diriger/mettre en forme les signaux optiques se propageant. Les zones de guide d'ondes structurées au sein de la zone de recouvrement optique peuvent être formées pour présenter des segments de polysilicium sus-jacents, mettant en forme les faisceaux se propageant et améliorant l'efficacité de couplage de l'ensemble à recouvrements.

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