Optical devices featuring textured semiconductor layers

H - Electricity – 01 – L

Patent

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Details

H01L 29/24 (2006.01)

Patent

CA 2563418

A semiconductor sensor, solar cell or emitter or a precursor therefore having a substrate and textured semiconductor layer deposited onto the substrate. The layer can be textured as grown on the substrate or textured by replicating a textured substrate surface. The substrate or first layer is then a template for growing and texturing other semiconductor layers from the device. The textured layers are replicated to the surface from the substrate to enhance light extraction or light absorption. Multiple quantum wells, comprising several barrier and quantum well layers, are deposited as alternating textured layers. The texturing in the region of the quantum well layers greatly enhances internal quantum efficiency if the semiconductor is polar and the quantum wells are grown along the polar direction. This is the case in nitride semiconductors grown along the polar [0001] or [000-1] directions.

La présente invention a trait à un capteur, une cellule solaire ou un émetteur à semi-conducteurs ou un précurseur de ceux-ci comportant un substrat et une couche semi-conductrice texturée déposée sur le substrat. La couche peut être texturée telle que produite par croissance sur le substrat ou texturée par la réplication d'une surface de substrat texturée. Le substrat ou première couche constitue alors une matrice pour la croissance et la texturation d'autres couches semi-conductrices à partir du dispositif. Les couches texturées sont produites par réplication à la surface à partir du substrat pour améliorer l'extraction de lumière ou l'absorption de lumière. Une pluralité de puits quantiques, comprenant plusieurs couches barrière et de puits quantiques, sont déposés sous la forme de couches texturées alternées. La texturation dans la région des couches de puits quantiques améliore considérablement l'efficacité quantique si le semi-conducteur est polaire et la croissance des puits quantiques est réalisée selon les directions polaires [0001] ou [000-1]

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