Optical microwave source

Details Optical microwave source Optical microwave source

H - Electricity

01

S

H01S 5/12 (2006.01) H01S 5/062 (2006.01) H01S 5/0625 (2006.01) H01S 5/026 (2006.01)

Patent

CA 2468762

The aim of the invention is the disclosure of a simple, tuned monolithic integrated component for the generation of optical microwaves in the frequency range of from 0.5 GHz to the THz range. Said aim is achieved by means of an optical microwave source, embodied as a multi-section semiconductor laser, the sections of are embodied such as to be independently electrically controlled, with a single mode DFB laser (1), driven above the laser threshold and at least one monolithic integrated (external) cavity, comprising a passive phase control section (2) and an active section (3). The multisection laser is defined by two facets, of which at least one has a reflectivity of > 0. Passive (2) and active (3) sections are connected to the DFB section (1) by means of a common waveguide (WL), the active sections (3) comprising means for amplification and the passive sections (2) comprising means for changing the phase position of waves returning into the multisection semiconductor laser.

L'invention vise à mettre en oeuvre un composant simple, accordable, intégré de façon monolithique, destiné à la production de micro-ondes optiques dans la gamme de fréquence allant de 0,5 GHz jusqu'au domaine THz. La source de micro-ondes optique selon l'invention est conçue en tant que laser à semiconducteurs multisections dont les sections peuvent être commandées électriquement de façon séparée. Ladite source de micro-ondes est composée d'un laser à réaction répartie monomode (1) exploité au dessus du seuil laser, et d'au moins une cavité (externe) intégrée de façon monolithique comportant une section de commande de phase passive (2) et une section active (3). Ledit laser multisections est délimité par deux facettes dont au moins une présente une réflectivité > 0. Les sections passive (2) et active (3) sont raccordées à la section à réaction répartie (1) par l'intermédiaire d'un guide d'onde commun (WL). La section active (3) comporte des moyens destinés à augmenter la position de phase et la section passive (2) comporte des moyens destinés à modifier la position de phase de l'onde retournant dans le laser à semiconducteurs multisections.

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