H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/00 (2006.01) G02B 6/42 (2006.01) H01L 25/16 (2006.01) H01L 27/15 (2006.01) H01S 5/02 (2006.01) H01S 5/40 (2006.01) H01S 5/42 (2006.01)
Patent
CA 2447365
A method for creating a hybridized chip having at least one bottom active device (1504) coupled to an electronic chip (1518) includes combining a bottom active optical device and an electronic chip when at least some of the bottom active optical device contacts are not aligned with at least some of the electronic chip contacts. The method involves adding an insulating layer (1506), having a thickness, a first side and a second side, to the bottom active optical device by affixing the first side of the insulating layer to the surface of the bottom active optical device opposite the substrate, forming openings in the insulating layer extending from the second side to the first side at points substantially coincident with the active contacts of the optical device and the electronic chip, making the sidewalls electrically conductive, and connecting the points with the bottom active optical device contacts and the electronic chip contacts with an electrically conductive material.
L'invention se rapporte à un procédé de création d'une puce hybridée présentant au moins un dispositif actif inférieur (1504) couplé à une puce électronique (1518) et consistant à combiner un dispositif optique actif inférieur et une puce électronique lorsqu'au moins certains des contacts du dispositif optique actif inférieur ne sont pas alignés sur au moins certains des contacts de la puce électronique. Le procédé fait intervenir l'ajout d'une couche d'isolation (1506) présentant une épaisseur, un premier côté et un second côté, au dispositif optique actif inférieur qui s'effectue par fixation du premier côté de la couche d'isolation sur la surface du dispositif optique actif inférieur à l'opposé du substrat, ce qui permet d'obtenir des ouvertures dans la couche d'isolation s'étendant du second côté vers le premier côté en des points qui coïncident sensiblement avec les contacts actifs du dispositif optique et la puce électronique. Ainsi, les parois latérales deviennent électriquement conductrices et connectent les points avec les contacts du dispositif optique inférieur et les contacts de la puce électronique avec un matériau électriquement conducteur.
Dudoff Greg
Trezza John
Piasetzki & Nenniger Llp
Xanoptix Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1756389