Optoelectronic material, device using the same, and method...

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H - Electricity

01

L

H01L 29/06 (2006.01) G09F 9/33 (2006.01) H01L 21/328 (2006.01) H01L 21/334 (2006.01) H01L 31/0248 (2006.01) H01L 31/04 (2006.01) H01L 31/06 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)

Patent

CA 2228507

This invention relates an optoelectronic material comprising a uniform medium with a controllable electric characteristic; and semiconductor ultrafine particles dispersed in the medium and having a mean particle size of 100 nm or less, and an application device using the same. This invention also relates to a method of manufacturing an optoelectronic material by irradiating a laser beam onto a first target of a semiconductor material, placed in a reaction chamber in low pressure rare gas ambient, and a second target of a medium material with a controllable electric characteristic, placed in the reaction chamber, condensing/growing a semiconductor material ablated from the first target to be collected as ultrafine particles having a mean particle size of 100 nm or smaller on a substrate placed in the reaction chamber, and condensing/growing a medium material ablated from the second target to be collected on the substrate placed in the reaction chamber, thus forming an ultrafine-particles dispersed layer having semiconductor ultrafine particles dispersed in the medium on the substrate.

Cette invention concerne un matériau photoélectronique, lequel se compose d'un milieu homogène dont les propriétés électriques peuvent être réglées, ainsi que de particules semi-conductrices ultra-fines. Ces dernières possèdent un diamètre moyen n'excédant pas 100 nm, et sont dispersées dans le milieu. Cette invention concerne également un élément auquel ce matériau est appliqué. Le procédé de fabrication de ce matériau photoélectronique consiste à former une couche dans laquelle les particules semi-conductrices ultra-fines sont dispersées dans le milieu. Cette couche est formée sur un substrat en irradiant respectivement une première et une seconde cible. La première cible est placée dans une chambre de réaction contenant une atmosphère de gaz rare à faible pression, et se compose d'un matériau semi-conducteur. La seconde cible est également placée dans la chambre et se compose d'un matériau dont les propriétés électriques peuvent être modifiées à l'aide de faisceaux laser. On récupère ensuite sur le substrat les particules semi-conductrices ultra-fines qui possèdent un diamètre n'excédant pas 100 nm, ceci en effectuant la condensation et la croissance du matériau semi-conducteur qui a été enlevé de la première cible. On récupère simultanément le matériau intermédiaire sur le substrat en effectuant la condensation et la croissance du matériau qui a été enlevé de la seconde cible.

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