Organic light emitting diode display having shield electrodes

Details Organic light emitting diode display having shield electrodes Organic light emitting diode display having shield electrodes

G - Physics

09

F

G09F 9/33 (2006.01) G09G 3/32 (2006.01) H01L 27/15 (2006.01) H01L 27/32 (2006.01) H01L 51/10 (2006.01)

Patent

CA 2438581

An organic light emitting diode (OLED) display includes at least one shield electrode (SE) between a cathode layer (31c) and an OLED drive circuit (34). The OLED drive circuit has at least one thin-film transistor (TFT), and the shield electrode is disposed to correspond to the thin-film transistor and closer to the cathode layer, covering an entire region between the source and drain of the thin-film transistor. The shield electrode is either grounded or tied to the gate of the thin-film transistor, to thereby minimize parasitic capacitance in the pixels of the display to enhance the display performance. The presented architecture enables high density drive circuit integration in amorphous silicon or other technologies, yet preserving a high display aperture ratio.

La présente invention concerne un affichage à diode organique d'émission de lumière (OLED) comprenant au moins une électrode de protection entre une couche de cathode (31c) et un circuit d'attaque OLED (34). Ce circuit a au moins un transistor à couches minces, et l'électrode de protection est disposée de manière à correspondre audit transistor et à se situer à proximité de la couche de cathode, ce qui lui permet de couvrir une zone entière entre la source et le drain dudit transistor. Cette électrode de protection est à la masse ou liée à la grille du transistor à couches mines, afin de minimiser les capacités parasites dans les pixels de l'affichage et, donc, d'améliorer l'efficacité de l'affichage. L'architecture présentée permet d'obtenir une intégration dudit circuit d'attaque à haute densité dans du silicium amorphe ou d'autres techniques, tandis qu'elle préserve un taux d'ouverture d'affichage élevé.

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