Organometallic single source precursors for inorganic films...

C - Chemistry – Metallurgy – 01 – G

Patent

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C01G 1/00 (2006.01) C01F 7/30 (2006.01) C07F 5/06 (2006.01) C23C 26/00 (2006.01)

Patent

CA 2233376

The invention is directed to making inorganic materials consisting of a metal and a group 16 element in the stoichiometric ratio of 2:3 from single source precursors having the same 2:3 metal to heteroatom stoichiometric ratio. In particular, the invention discloses a process for making aluminum oxide from single source precursors that have an aluminum to oxygen ratio of 2:3. The precursors are organoaluminum tetrametallic compounds containing organooxy bridging groups and organo terminal groups. As these compounds tend to be viscous liquids or oils, they can be applied to a substrate surface then pyrolyzed to eliminate the organic ligands and produce aluminum oxide in situ, without using gas phase deposition techniques.

L'invention porte sur la production de substances minérales, constituées d'un métal et d'un élément du groupe 16, dans un rapport stoechiométrique de 2:3, à partir de précurseurs de source unique présentant le même rapport stoechiométrique de 2:3 pour le métal sur l'hétéroatome. L'invention présente notamment une méthode pour l'obtention d'oxyde d'aluminium à partir de précurseurs de source unique, dont le rapport aluminium sur oxygène est de 2:3. Les précurseurs sont des composés organiques tétramétalliques de l'aluminium, renfermant des groupes de pontage organooxy et des groupes terminaux organiques. Comme ces composés sont plutôt des liquides visqueux ou des huiles, ils peuvent être appliqués sur la surface d'un substrat, puis soumis à la pyrolyse pour éliminer les ligands organiques et produire sur place de l'oxyde d'aluminium sans utilisation de techniques de dépôt en phase gazeuse.

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