H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/283 (2006.01) H01L 21/04 (2006.01) H01L 21/338 (2006.01) H01L 23/49 (2006.01) H01L 29/161 (2006.01) H01L 29/45 (2006.01) H01L 29/47 (2006.01) H01L 29/73 (2006.01) H01L 29/812 (2006.01)
Patent
CA 2248803
Metallic osmium on SiC (either .beta. or .alpha.) forms a contact that remains firmly attached to the SiC surface and forms an effective barrier against diffusion from the conductive metal. On n-type SiC (12), Os (20) forms an abrupt Schottky rectifying junction having essentially unchanged operating characteristics to at least 1050 ~C and Schottky diodes that remain operable to 1175 ~C and a barrier height over 1.5 eV. On p-type SiC, Os forms an ohmic contact with specific contact resistance of 10-4 ohm-cm2. Ohmic and rectifying contacts to a TiC layer (30) on a SiC substrate (12) are formed by depositing a WC layer (32) over the TiC layer (30), followed by a metallic W layer (34). Such contacts are stable to at least 1150 ~C. Electrodes (38) connect to the contacts either directly or via a protective bonding layer (36) such as Pt or PtAu alloy.
De l'osmium métallique sur du SiC (.beta. ou .alpha.) forme un contact qui reste fermement fixé à la surface du SiC et constitue une barrière efficace contre la diffusion depuis le métal conducteur. Sur le SiC de type n (12), Os (20) forme une jonction Schottky redresseuse abrupte présentant des caractéristiques de fonctionnement sensiblement inchangées jusqu'à 1050 ·C au moins, des diodes Schottky qui continuent à fonctionner jusqu'à 1175 ·C et une hauteur de barrière supérieure à 1,5 eV. Sur le SiC de type p, Os forme un contact ohmique présentant une résistance de contact spécifique inférieure à 10?-4¿ ohm/cm?2¿. On forme les contacts ohmiques et redresseurs avec une couche de TiC (30) sur un substrat de SiC (12) en déposant sur la couche de TiC (30) une couche de WC (32) suivie d'une couche de W métallique (34). Ces contacts sont stables jusqu'à 1150 ·C au moins. Des électrodes (38) sont reliées aux contacts soit directement, soit par l'intermédiaire d'une couche de soudure protectrice (36) de Pt ou d'un alliage PtAu par exemple.
3c Semiconductor Corporation
Caldus Semiconductor Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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