H - Electricity – 03 – F
Patent
H - Electricity
03
F
H03F 3/45 (2006.01) H03F 1/52 (2006.01)
Patent
CA 2371066
An amplifier of differential type such as a comparator or operational amplifier has two input terminals (1, 3) which are formed by the base terminals of input, amplifying transistors (T1, T2) of for example npn-type. The collectors of the input transistors are connected to some supply voltage (VCC) through for example a current mirror circuit (T4, T5). The emitters of the input transistors are through a transistor (T3) connected as a current generator connected to another supply voltage (VEE) close to ground potential. The base-emitter-junction in the input transistors are protected by protective transistors (T6, T7) which are connected as diodes, the emitters and bases of which are connected to each other. The effective pn-junction in the protective transistors is then the junction between the base and collector which normally has a larger breakthrough voltage then the pn-junction between the base and emitter. A protection of the input terminals of the amplifier is thereby obtained which can in a simple way be accomplished in for example integrated circuits. Then, the protective transistors are made in substantially the same way as the input transistors and have substantially the same electrical properties as they.
L'invention porte sur un amplificateur de type différentiel tel qu'un comparateur ou amplificateur opérationnel possédant deux terminaux (1, 3) d'entrée formés par des terminaux d'entrée de base, et amplifiant des transistors (T1, T2) de type npn. Les collecteurs des transistors d'entrée sont raccordés à une tension d'alimentation (V¿CC?) par un circuit à miroir de courant (T4, T5). Les émetteurs des transistors d'entrée sont raccordés par un transistor (T3) alors qu'un générateur de courant est raccordé à une autre tension d'alimentation (V¿EE?) proche d'un potentiel de la masse. La jonction base-émetteur des transistors d'entrée est protégée par des transistors (T6, T7) qui sont raccordés comme des diodes, les émetteurs et les bases étant raccordés entre eux. La jonction pn effective des transistors de protection forme ensuite la jonction entre la base et le collecteur qui a normalement une tension de claquage élevée, et forme la jonction pn entre la base et l'émetteur. On obtient ainsi une protection des terminaux d'entrée de l'amplificateur qui peut être réalisée de manière simple dans des circuits intégrés, par exemple. Les transistors de protection sont conçus pratiquement de la même manière que les transistors d'entrée et ont pratiquement les mêmes propriétés électriques que ceux-ci.
Marks & Clerk
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1813600