H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/31 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) C23C 16/42 (2006.01) C23C 16/50 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01) H05H 1/42 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
Patent
CA 2489544
An apparatus for forming an oxide film on the surface of a substrate (S) by a CVD method under a condition of pressure around the atmospheric pressure. The apparatus comprises gas supply sources (3A, 3B) for supplying a process gas of two components: a source gas (A) comprising a silicon-containing gas such as TMOS or MTMOS and a reaction gas (B) comprising an oxidizing gas such as O2 or N2O and a discharge process unit (1). The process gas (B) discharge-processed by the discharge process unit and the process gas (A) not discharge-processed are mixed near the surface of the substrate. As a result, an oxide film having favorable film quality and coverage properties can be formed at a high film- forming rate by a CVD under the atmospheric pressure. It is more preferable to mix H2O gas discharge-processed or not discharge-processed.
L'invention concerne un appareil destiné à former un film d'oxyde sur la surface d'un substrat (S) à l'aide d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) dans des conditions de pression proche de la pression atmosphérique. Cet appareil comprend des sources d'alimentation en gaz de traitement (3A, 3B) destinées à amener un gaz de traitement possédant deux constituants: un gaz source (A) comprenant un gaz contenant du silicium tels que TMOS ou MTMOS et un gaz de réaction (B) comprenant un gaz d'oxydation tel que O¿2? ou N¿2?O, et une unité de traitement par décharge (1). Le gaz de traitement (B) traité par décharge par l'unité de traitement par décharge et le gaz de traitement (A) non traité par décharge sont mélangés à proximité de la surface du substrat. En conséquence, un film d'oxyde possédant une bonne qualité de film et de bonnes propriétés couvrantes peut être formé à une vitesse de formation élevée, au moyen d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur, à la pression atmosphérique. Il est préférable de mélanger du gaz H¿2?O traité par décharge ou non traité par décharge.
Eguchi Yuji
Ito Takumi
Kawasaki Shinichi
Nakajima Setsuo
Sekisui Chemical Co. Ltd.
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1942280