Oxime derivatives and the use thereof as latent acids

Details Oxime derivatives and the use thereof as latent acids Oxime derivatives and the use thereof as latent acids

G - Physics

03

F

G03F 7/004 (2006.01) C07C 309/63 (2006.01) G03F 7/038 (2006.01) G03F 7/039 (2006.01)

Patent

CA 2421206

New oxime sulfonate compounds of formula (I, II, III, IV, V, VI and VII) wherein R1 is for example C1-C18 alkylsulfonyl, R2 is halogen or C1-C10 haloalkyl; R3 is for example unsubstituted or substituted phenylenedisulfonyl, diphenylenedisulfonyl, or oxydiphenylenedisulfonyl; Ar1 is for example a direct bond, C1-C12 alkylene; -O-C-bond or a O-Si-bond which cleaves upon the action of an acid; A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7, A8, A9, A10, A11 and A12 are for example a direct bond, -O-, or S-, or are C1-C12 alkylene or phenylene unsubstituted or substituted; Y1 is C1-C12 alkylene which is for example subsituted by OR4, or SR7; Y2 is e.g. a trivalent radical of C1-C12 alkylene; Y3 is e.g. a tetravalent radical of C1-C12 alkylene; X is halogen; Ar'1 is for example C1-C12 alkyl which is unsubstituted or substituted; Ar"1 is for example phenylene; provided that at least one of the radicals Ar'1, Ar"1, is substituted by 1 to 3 groups of (VIII), (IX), (X), (XI), (XII) and/or (XIII); M+ is e.g. (XIV); L- is for example halogen; R15, R16, R17 and R18 are e.g. hydrogen or phenyl; R19, R20, R21, R22 and R23 are e.g. phenyl; are especially suitable for the preparation of photoresists.

La présente invention concerne de nouveaux composés à base de sulfonate d'oxime, convenant particulièrement pour l'élaboration de photorésiste. Ces composés sont représentés par les formules générales (I, II, III, IV, V, VI et VII). Dans ces formules, R¿1? est notamment C¿1?-C¿18? alkylsulfonyle, R¿2? est halogène ou C¿1?-C¿10? haloalkyle; R¿3? est notamment unsubstituted or substituted phénylène-disulfonyle, diphénylène-disulfonyle, ou oxydiphénylène-disulfonyle substitués ou non substitués; Ar¿1? est notamment une liaison directe, C¿1?-C¿12? alkylène, liaison en -O-C, ou liaison en O-Si qui se clive sous l'action d'un acide; A¿1?, A¿2?, A¿3?, A¿4?, A¿5?, A¿6?, A¿7?, A¿8?, A¿9?, A¿10?, A¿11? et A¿12? sont notamment une liaison directe, -O-, ou S-, ou sont C¿1?-C¿12? alkylène ou phénylène substitué ou non substitué; Y¿1? est C¿1?-C¿12? alkylène notamment substitué par OR¿4?, ou SR¿7?; Y¿2? est notamment un radical trivalent de C¿1?-C¿12? alkylene; Y¿3? est notamment un radical tétravalent de C¿1?-C¿12? alkylène; X est halogène; Ar'¿1? est notamment C¿1?-C¿12? alkyle substitué ou non substitué; Ar"¿1? est notamment phénylène; en tout état de cause, l'un au moins des radicaux Ar'¿1? et Ar"¿1?, est substitué par 1 à 3 groupes représenté par les formules (VIII), (IX), (X), (XI), (XII) et/ou (XIII); M?+¿ est notamment représenté par la formule (XIV); L?-¿ est notamment halogène; R¿15?, R¿16?, R¿17? et R¿18? sont notamment hydrogène ou phényle; et R¿19?, R¿20?, R¿21?, R¿22? et R¿23? sont notamment phényle.

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