P-type group iii nitride semiconductor and group iii nitride...

Details P-type group iii nitride semiconductor and group iii nitride... P-type group iii nitride semiconductor and group iii nitride...

H - Electricity

01

L

H01L 33/00 (2006.01) H01S 5/323 (2006.01)

Patent

CA 2681711

This invention provides a group III nitride semiconductor represented by AlXGaYInZN, wherein X, Y and Z represent a rational function satisfying X + Y + Z = 1. A P-type group III nitride semiconductor having good P-type properties can be provided even when the Al content is high and, for example, is 1.0 > X >= 0.5. For example, in producing a group III nitride semiconductor having the above composition by MOCVD, while paying attention so as to avoid inclusion of impurity atoms other than acceptor impurity atoms in crystals or so as not to form dislocation, an acceptor impurity atom such as Mg is doped in a concentration of 5 x 1018 to 1 x 1020 cm-3, whereby the proportion of hole concentration at 30°C to the acceptor impurity concentration is brought to not less than 0.001.

Cette invention propose un semi-conducteur de nitrure du groupe III représenté par la formule AlXGaYInZN, où X, Y et Z représentent une fonction rationnelle satisfaisant à X + Y + Z = 1. Un semi-conducteur de nitrure du groupe III de type P ayant de bonnes propriétés de type P peut être proposé même lorsque la teneur en Al est élevée et, par exemple, est de 1,0 > X .apprxeq. 0,5. Par exemple, en produisant un semi-conducteur de nitrure du groupe III ayant la composition ci-dessus par MOCVD, tout en faisant attention afin d'éviter une inclusion d'atomes d'impureté autre que des atomes d'impureté d'accepteur dans des cristaux ou afin de ne pas former une dislocation, un atome d'impureté d'accepteur, tel que le Mg, est dopé dans une concentration allant de 5 x 1018 à 1 ´x1020 cm-3, de sorte que la proportion de concentration de trous à 30°C sur la concentration en impuretés d'accepteur est amenée à être inférieure à 0,001.

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