H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/306 (2006.01) G03F 1/00 (2006.01) H01J 37/305 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01) H01L 21/3213 (2006.01) H01L 21/465 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01)
Patent
CA 2286638
The present invention generally provides methods for employing a focused particle beam system in the removal of an excess portion from a workpiece having an opaque film patterned on a substrate and more particularly provides methods of gas-assisted etching using an etching gas including bromine. One aspect of the invention provides a method including the steps of (i) mounting the workpiece on a movable stage capable of movement in the X and Y directions, (ii) scanning a selected surface area of a workpiece, having an opaque film patterned on a substrate, with a focused particle beam, (iii) detecting intensities of particles emitted from the workpiece as a result of the workpiece scanning step, (iv) determining a shape of the patterned film based on the detected particle intensities, (v) determining an excess portion of the patterned film based on the shape of the patterned film, (vi) etching the excess portion with the focused particle beam, and (vii) introducing an etching gas, concurrent with the etching step, in selected proximity to the excess portion. The etching gas includes bromine or a bromine-containing material. The etching gas can futher include water vapor.
La présente invention concerne généralement des procédés d'utilisation d'un système à faisceau particulaire focalisé, destiné à éliminer une partie excédentaire d'une pièce pourvue d'une couche mince opaque imprimée sur un substrat,et plus particulièrement de procédés de gravure par apport de gaz à l'aide d'un gaz d'attaque comprenant du brome. Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un procédé consistant (i) à monter la pièce sur un étage mobile pouvant de déplacer dans les directions X et Y; (ii) à balayer une partie de surface sélectionnée d'une pièce pourvue d'une couche mince opaque imprimée sur un substrat, avec un faisceau particulaire focalisé; (iii) à détecter des intensités de particules émises à partir de la pièce, suite à l'étape de balayage de ladite pièce; (iv) à déterminer une forme de couche mince imprimée en fonction des intensités de particules détectées; (v) à déterminer une partie excédentaire de la couche mince imprimée en fonction de la forme de ladite couche mince imprimée; (vi) à graver la partie excédentaire à l'aide du faisceau particulaire focalisé; et (vii) à introduire un gaz d'attaque, de manière simultanée, avec l'étape d'attaque, dans une proximité sélectionnée de la partie excédentaire. Le gaz d'attaque comprend du brome ou un matériau contenant du brome. Le gaz d'attaque peut, en outre, comprendre de la vapeur d'eau.
Casey J. David Jr.
Doyle Andrew
Micrion Corporation
Riches Mckenzie & Herbert Llp
LandOfFree
Pattern film repair using a gas assisted focused particle... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Pattern film repair using a gas assisted focused particle..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Pattern film repair using a gas assisted focused particle... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1789883