G - Physics – 11 – B
Patent
G - Physics
11
B
G11B 7/24 (2006.01) G11B 7/257 (2006.01) G11B 7/26 (2006.01)
Patent
CA 2355654
A phase change-type optical recording medium in which recording of information is made utilizing phase change by light, comprising: a substrate; a first dielectric layer on said substrate; a phase change-type optical recording layer made of GeSbTe wherein the molar ratio of Sb:Te is less than 0.6 on said first dielectric layer; a second dielectric layer on said phase change-type optical recording layer; and a reflective layer either on the second dielectric layer or between said substrate and said first dielectric layer; wherein an intermediate layer is further disposed between said first dielectric layer and said phase change-type optical recording layer and/or between said phase change-type optical recording layer and said second dielectric layer, said intermediate layer being a single layer of Sb2Te3 or GeTe or a laminate layer of Sb2Te3 and GeTe, said intermediate layer being in direct contact with said phase change-type optical recording layer.
L'invention concerne un support d'enregistrement optique de type à changement de phase dans lequel l'enregistrement des informations utilise les changements de phase par la lumière. Ce support comprend un substrat, une première couche diélectrique sur ledit substrat, une couche d'enregistrement optique de type à changement de phase constituée de GeSbTe dans laquelle le rapport molaire Sb/Te est inférieur à 0,6 sur ladite première couche diélectrique. Ce support comporte également une deuxième couche diélectrique placée sur ladite couche d'enregistrement optique à changement de phase et une couche de réflection sur la deuxième couche diélectrique ou entre ledit substrat et ladite première couche diélectrique. Une couche intermédiaire est, en outre, placée entre ladite première couche diélectrique et ladite couche d'enregistrement optique de type à changement de phase et/ou entre ladite couche d'enregistrement optique de type à changement de phase et ladite deuxième couche diélectrique. La couche intermédiaire est formée d'une seule couche de Sb¿2?Te¿3? ou GeTe ou une couche feuilletée de Sb¿2?Te¿3? et GeTe. En outre, cette couche intermédiaire est en contact direct avec ladite couche d'enregistrement optique de type à changement de phase.
Ebina Atsushi
Ikeda Yoshinori
Tomie Takashi
Borden Ladner Gervais Llp
Teijin Limited
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1897444