H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/00 (2006.01) H01L 27/144 (2006.01) H01L 31/02 (2006.01) H01L 31/0216 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/072 (2006.01) H01L 31/109 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01)
Patent
CA 2142915
A photoconductive isotype heterojunction impedance-matched infrared detector has blocking contacts (66 and 68) which are positioned on the bottom side of the detector. Blocking contacts (66 and 68) prevent transfer of minority carriers from active region (42a) of the detector, thereby extending the lifetime of these carriers. The detector is formed by first fabricating active layer (42) followed by isotype blocking layer (44) on growth substrate (40). These layers are etched and appropriate passivation layers (93) and contacts (98 and 100) are applied. Mechanical supporting substrate (90) is applied to the detector and growth substrate (40) is removed. Etch stop holes (48 and 50) are formed which extend into active layer (42) of the detector. A precision thickness of active layer (42), required in an impedance-matched detector design, is produced by thinning active layer (42) in an etching process until the surface of active layer (42) reaches etch stop hole (48 and 50).
Un détecteur infrarouge photoconducteur à impédance adaptée, à hétérojonctions isotypiques, comporte des contacts de blocage (66, 68), placés sur sa partie inférieure, qui préviennent le transfert de porteurs minoritaires depuis la région active (42a) du détecteur et allongent ainsi la durée de vie de ces porteurs. On forme ce détecteur en fabriquant d'abord une couche active (42), suivie par une couche de blocage isotypique (44), sur un substrat de croissance (40). On grave ces couches et on leur applique des couches de passivation appropriées (93) et des contacts (98, 100). On applique sur ce détecteur un substrat mécanique (90) et on en retire le substrat de croissance (40). On forme des orifices d'arrêt de gravure (48, 50) qui pénètrent dans la couche active (42) du détecteur. On obtient une épaisseur précise de couche active (42), nécessaire pour une conception de détecteur à impédance adaptée, en l'amincissant par fracture jusqu'à ce que sa surface atteigne les orifices d'arrêt de gravure (48, 50).
Barnes Scott L.
Schimert Thomas R.
Kirby Eades Gale Baker
Lockheed Martin Corporation
Loral Vought Systems Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1499698