G - Physics – 01 – J
Patent
G - Physics
01
J
G01J 1/46 (2006.01)
Patent
CA 2393514
In a photodetector, a photodiode and a capacitor are coupled between a sensing node and a ground voltage line, and a MOS transistor is coupled between the sensing node and a reference voltage line. Initially, the capacitor is charged so that the sensing node voltage is greater than a transition voltage and a predetermined gate voltage is applied to switch the transistor off. During a sampling time, the capacitor initially discharges through the photodiode, the discharge current being dependent on the intensity of radiation incident on the photodiode, until the sensing node voltage falls to the transition voltage. If the sensing node voltage falls to the transition voltage during the sampling time, the transistor enters its weak inversion operation domain and the current through the photodiode can flow through the transistor such that the sensing node voltage varies logarithmically with the radiation intensity. At the end of the sampling time, a readout circuit coupled to the sensing node generates an output signal dependent on the sensing node voltage, and the photodetector is reset by recharging the capacitor before the start of another sampling time.
Dans un photodétecteur, une photodiode et un condensateur sont couplés entre un noeud de détection et une ligne de tension de masse et un transistor MOS est couplé entre le noeud de détection et une ligne de tension de référence. Ce condensateur est chargé initialement, de sorte que la tension au noeud de détection est supérieure à une tension de transition et qu'une tension de grille prédéterminée est appliquée afin de mettre le transistor hors service. Pendant une période d'échantillonnage, le condensateur se décharge à travers la photodiode, le courant de décharge dépendant de l'intensité du rayonnement incident par rapport à la photodiode jusqu'à ce que la tension au noeud de détection tombe au niveau de la tension de transition. Si la tension au noeud de détection tombe au niveau de la tension de transition pendant la période d'échantillonnage, le transistor pénètre dans une zone de fonctionnement en inversion faible et le courant circulant à travers la photodiode peut traverser le transistor, de façon à modifier la tension au noeud de détection selon un logarithme par rapport à l'intensité du rayonnement. A la fin de la période d'échantillonnage, un circuit de lecture couplé au noeud de détection génère un signal de sortie dépendant de la tension au noeud de détection et le photodétecteur est remis à zéro par recharge du condensateur avant le début d'une autre période d'échantillonnage.
Csem Centre Suisse D'electronique Et de Microtechnique S.a.
Photonfocus Ag
Sim & Mcburney
LandOfFree
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