H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 27/146 (2006.01) H03F 1/30 (2006.01) H04N 3/15 (2006.01)
Patent
CA 2290965
A photodetector circuit (100) fabricated in BiCMOS exhibits improved temperature stability. A bipolar phototransistor (200) generates a photocurrent (Ibi) in response to illumination. This photocurrent (Ibi) is passed through a diode connected load MOSFET (114) operating subthreshold which gives a logarithmic voltage output. This ensures a large dynamic range of the photon detection system. The phototransistor (200) has gain (.beta.) which amplifies an initial current response and ensures that current Ibi) through the load MOSFET (114) is significantly higher than MOSFET leakage current. This improves performance at high temperatures when the leakage current is large, whilst maintaining photodetector sensitivity to low illumination levels. The photodetector circuit (100) is particularly suitable for incorporation in a detector array (315) for use in a digital camera.
L'invention concerne un circuit photodétecteur (100) fabriqué en BICMOS, qui présente une thermostabilité améliorée. Un phototransistor bipolaire (200) génère un photocourant (I¿bi?) en réponse à une illumination. Le photocourant (I¿bi?) est passé à travers un transistor à effet de champ MOS de charge (114) raccordé par diodes et fonctionnant à son régime infra-liminaire, qui produit une sortie de tension logarithmique. Ce procédé confère au système de détection photonique une large plage dynamique. Le phototransistor (200) produit un gain (.beta.) qui amplifie une réponse de courant initial et fait en sorte que le courant (I¿bi?) traversant le transistor à effet de champ MOS de charge (114) soit sensiblement plus élevé que le courant de fuite du transistor à effet de champ MOS. On obtient ainsi des rendements améliorés à des températures élevées lorsque le courant de fuite est important, en même temps qu'on maintient la sensibilité du photodétecteur à de faibles niveaux d'illumination. Le circuit photodétecteur (100) convient particulièrement en tant qu'élément d'une mosaïque de détecteurs (315) destinée à être utilisée dans une caméra numérique.
Collins Stephen
Marshall Gillian Fiona
Fetherstonhaugh & Co.
Qinetiq Limited
The Secretary Of State For Defence
LandOfFree
Photodetector circuit does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Photodetector circuit, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Photodetector circuit will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-2086135