H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 27/146 (2006.01) H01L 31/107 (2006.01) H01L 31/20 (2006.01) H04N 1/23 (2006.01)
Patent
CA 2059197
A photoelectric converting device has a photoelectric converting part which consists of a light absorbing layer of a predetermined forbidden band width Eg1 and a carrier multiplying layer, positioned in laminate structure between charge injection blocking layers. The multiplying layer is composed of a layer or plural layers with a stepback structure of the forbidden band width having a minimum width Eg2 and a maximum width Eg3 in alternate manner and showing a continuous variation therebetween in each layer. The charge injection blocking layers, light absorbing layer and carrier multiplying layer are composed of non-monocrystalline semiconductors and at least having the minimum forbidden band width Eg2 and/or the maximum forbidden band width Eg3 contain a microcrystalline structure.
L'invention est un dispositif de conversion photoélectrique comportant une unité de conversion photoélectrique constituée d'une couche d'absorption de lumière ayant une bande interdite prédéterminée d'une largeur Eg1 et d'une couche de multiplication de porteurs placées dans une structure lamifiée entre des couches de blocage d'injection de charges. Cette couche de multiplication est constituée d'une ou plusieurs couches avec une structure de réduction de la largeur de la bande interdite ayant une largeur minimale Eg2 et une largeur maximale Eg3 de façon alternée avec variation continue entre ces deux valeurs dans chaque couche. Les couches de blocage d'injection de charges, la couche d'absorption de lumière et la couche de multiplication de porteurs sont faites de semi-conducteurs non monocristallins.
Canon Kabushiki Kaisha
Ridout & Maybee Llp
LandOfFree
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