H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/09 (2006.01) H01L 51/30 (2006.01)
Patent
CA 2461274
A 167 µm-thick NTCDA single crystal (2) is used as a photoelectric current multiplier layer, and Au thin films are formed in thickness of 20 nm as electrodes (4, 6) on the opposite surfaces of the multiplier layer by a vapor deposition method to form a sandwich type cell. When a voltage is applied to the NTCDA single crystal (2) by electrodes (4, 6) from a dc power source (8) and a monochromatic light is applied, a multiplied photoelectric current flows between the electrodes (4, 6). A rise of this element at light-on is considerably faster than when a vapor-deposited layer is used as a photoelectric current multiplier layer to permit a faster response.
Selon cette invention, un monocristal NTCDA (2) de 167 µm d'épaisseur est utilisé en tant que couche multiplicatrice de courant photoélectrique, et des films minces d'Au sont formés avec une épaisseur de 20 nm en tant qu'électrodes (4, 6) sur les surfaces opposées de la couche multiplicatrice par un procédé de dépôt en phase vapeur afin de former une cellule de type sandwich. Lorsqu'une tension est appliquée sur le monocristal NTCDA (2) par les électrodes (4, 6) à partir d'une source de puissance en courant continu (8) et qu'une lumière monochromatique est appliquée, un courant photoélectrique multiplié passe entre les électrodes (4, 6). Une élévation de cet élément lorsque la lumière est présente est considérablement plus rapide que lorsqu'une couche déposée en phase vapeur est utilisée en tant que couche multiplicatrice de courant photoélectrique, ce qui permet une réponse plus rapide.
Hiramoto Masahiro
Yokoyama Masaaki
Japan Science And Technology Agency
Kirby Eades Gale Baker
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1789402