G - Physics – 03 – F
Patent
G - Physics
03
F
G03F 7/32 (2006.01) G03F 7/30 (2006.01)
Patent
CA 2292572
An aqueous photolithographic resist developer composition including a metal alkali, a dialkylalkanolamine adjuvant, a surfactant, and a buffer increases the speed of novolak resin-based resists exposed to high energy radiation to permit high resolution photolithographic patterning of the resist. A multi- cycle process, in combination with the developer composition of this invention, enables resist resolution capabilities of less than 0.20 µm, with contrast 5, and dark loss less than 10 %.
Cette invention se rapporte à une composition aqueuse de développateur de réserve photolithographique, qui contient un alcali de métal, un adjuvant à base de dialkylalcanolamine, un tensioactif et un tampon et qui augmente la vitesse de réserves à base de résine novolaque exposées à des rayonnements de forte énergie pour permettre la formation de motifs haute résolution par procédé photolithographique sur la réserve en question. Un procédé à plusieurs sites, associé à la composition de développateur faisant l'objet de cette invention, permet d'obtenir des capacités de résolution de la réserve inférieures à 0,20 µm, avec un contraste supérieur à 5 et des pertes dans le foncé inférieures à 10 %.
Etec Systems Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1385644