Photosemiconductor encapsulating resin composition

C - Chemistry – Metallurgy – 08 – G

Patent

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C08G 59/20 (2006.01) C08G 59/18 (2006.01) C08G 59/34 (2006.01) C08G 59/42 (2006.01) C08G 59/68 (2006.01) C08L 63/00 (2006.01) H01L 23/29 (2006.01) H01L 31/0203 (2006.01)

Patent

CA 2442314

A resin composition for optical-semiconductor encapsulation, characterized by comprising the following ingredients (A) and (B). It is excellent in light- transmitting properties, ultraviolet resistance, and heat resistance. (A): a (meth)acrylic polymer having epoxy groups and (B): at least one hardener selected from the group consisting of the following ingredients (b1) to (b4), (b1) a polycarboxylic acid, (b2) a polycarboxylic acid anhydride, (b3) a product of the reaction of a polycarboxylic acid with a compound represented by the general formula (B-1), and (b4) a product of the reaction of a polycarboxylic acid anhydride with a compound represented by the general formula (B-2).

L'invention concerne une résine d'encapsulation pour semi-conducteur optique, renfermant (A) un polymère (méth)acrylique comprenant des groupes époxy et (B) au moins un durcisseur sélectionné dans le groupe formé par (b¿1?) un acide polycarboxylique, (b¿2?) un anhydride d'acide carboxylique, (b¿3?) un produit issu de la réaction d'un acide polycarboxylique avec un composé représenté par la formule générale (B-1), et (b¿4?) un produit issu de la réaction entre un anhydre d'acide polycarboxylique avec un composé représenté par la formule générale (B-2). Cette résine possède d'excellentes propriétés de transmission lumineuse, une excellente résistance aux ultraviolets et une excellente résistance à la chaleur.

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