Photovoltaic device and process for producing same

Details Photovoltaic device and process for producing same Photovoltaic device and process for producing same

H - Electricity

01

L

H01L 31/04 (2006.01)

Patent

CA 2661217

A photoelectric converter satisfying both high photoelectric conversion efficiency and high productivity, and its fabrication method. The photoelectric converter (90) has a substrate with a transparent electrode where a transparent electrode layer (2) is provided on a transparent insulating substrate (1), and at least a photoelectric conversion layer (92) principally comprising a crystalline silicon based semiconductor and a backside electrode layer (4) that are formed sequentially on the transparent electrode layer (2) side of the substrate with a transparent electrode. The transparent electrode layer (2) on the substrate with a transparent electrode has a surface shape where large and small protrusions and recesses coexist and spectral haze rate is 20% or above at the wavelength of 550-800 nm. The photoelectric conversion layer principally comprising the crystalline silicon based semiconductor has a film thickness of 1.2-2 µm, and a Raman ratio of 3.0-8Ø

L'invention concerne un convertisseur photoélectrique présentant à la fois un rendement de conversion photoélectrique élevé et une productivité élevée, et son procédé de fabrication. Le convertisseur photoélectrique (90) a un substrat avec une électrode transparente où une couche d'électrode transparente (2) est disposée sur un substrat d'isolation transparent (1), et au moins une couche de conversion photoélectrique (92) comprenant principalement un semi-conducteur à base de silicium cristallin et une couche d'électrode arrière (4) qui sont formées de façon séquentielle sur le côté couche d'électrode transparente (2) du substrat avec une électrode transparente. La couche d'électrode transparente (2) sur le substrat avec une électrode transparente a une forme de surface où des protubérances et des cavités grandes et petites coexistent et un niveau de voile spectral est de 20 % ou plus à la longueur d'onde de 550-800 nm. La couche de conversion photoélectrique comprenant principalement le semi-conducteur à base de silicium cristallin a une épaisseur de film de 1,2-2 µm, et un rapport de Raman de 3,0-8,0.

Affiliated with

Also associated with

Rating

Photovoltaic device and process for producing same does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Photovoltaic device and process for producing same, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Photovoltaic device and process for producing same will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-2081614