Pixel structure for a solid state light emitting device

Details Pixel structure for a solid state light emitting device Pixel structure for a solid state light emitting device

H - Electricity

01

L

H01L 23/31 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)

Patent

CA 2635307

A light emitting device includes an active layer structure, which has one or more active layers with luminescent centers, e.g. a wide bandgap material with semiconductor nano-particles, deposited on a substrate. For the practical extraction of light from the active layer structure, a transparent electrode is disposed over the active layer structure and a base electrode is placed under the substrate. Transition layers, having a higher conductivity than a top layer of the active layer structure, are formed at contact regions between the upper transparent electrode and the active layer structure, and between the active layer structure and the substrate. Accordingly the high field regions associated with the active layer structure are moved back and away from contact regions, thereby reducing the electric field necessary to generate a desired current to flow between the transparent electrode, the active layer structure and the substrate, and reducing associated deleterious effects of larger electric fields.

Le dispositif électroluminescent de cette invention comporte une structure de couche active, possédant une ou plusieurs couches actives avec des centres luminescents, par exemple un matériau à large bande interdite avec des nano-particules semi-conductrices, déposée sur un substrat. Pour l'extraction pratique de lumière à partir de la structure de couche active, une électrode transparente recouvre la structure de couche active et une électrode de base est placée sous le substrat. Des couches de transition, d'une conductivité supérieure à celle d'une couche supérieure de la structure de couche active, sont formées au niveau de régions de contact entre l'électrode transparente supérieure et la structure de couche active, et entre la structure de couche active et le substrat. En conséquence les régions de champ élevé associées à la structure de couche active sont reculées et écartées des régions de contact, réduisant ainsi le champ électrique nécessaire pour générer un courant désiré entre l'électrode transparente, la structure de couche active et le substrat, et réduisant les effets délétères associés de champs électriques plus importants.

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