Planar avalanche photodiode

Details Planar avalanche photodiode Planar avalanche photodiode

H - Electricity

01

L

H01L 31/072 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01) H01L 31/0328 (2006.01) H01L 31/109 (2006.01)

Patent

CA 2474560

The present invention includes a planar avalanche photodiode (10) having a first n-type semiconductor layer (28) defining a planar contact area, and a second n-type semiconductor layer (16) having a p-type diffusion region (14). Further features of the structure include an n-type semiconductor multiplication layer (24), an n-type semiconductor absorption layer (20), and a p-type contact layer (12). Further embodiments include a planar avalanche photodiode (210) having a first n-type semiconductor layer (28) defining a planar contact area, an n-type semiconductor multiplication layer (24), an n- type semiconductor absorption layer (20) and a p-type semiconductor layer (32) electrically coupled to a p-type contact layer (12).

L'invention concerne une photodiode à avalanche planaire qui comprend une première couche semiconductrice de type n dotée d'une surface de contact planaire, et une seconde couche semiconductrice de type N dotée d'une région de diffusion de type p. D'autres caractéristiques de la structure comprennent une couche de multiplication semiconductrice de type n, une couche d'absorption semiconductrice de type n, et une couche de contact de type p. D'autres modes de réalisation concernent une photodiode à avalanche planaire comprenant une première couche semiconductrice de type n dotée d'une surface de contact planaire, une couche de multiplication semiconductrice de type n, une couche d'absorption semiconductrice de type n et une couche semiconductrice de type p couplée électriquement à une couche de contact de type p.

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