Planar avalanche photodiode

Details Planar avalanche photodiode Planar avalanche photodiode

H - Electricity

01

L

H01L 21/22 (2006.01)

Patent

CA 2564218

A planar avalanche photodiode includes a small localized contact layer on the top of the device produced by either a diffusion or etching process and a semiconductor layer defining a lower contact area. A semiconductor multiplication layer is positioned between the two contact areas and a semiconductor absorption layer is positioned between the multiplication layer and the upper contact layer. The photodiode has a low capacitance and a low field near the edges of the semiconductor multiplication and absorption layers.

Une photodiode à avalanche plane comprend une couche de contact localisée sur le sommet du dispositif produit par un processus soit de diffusion soit de gravure et une couche semi-conductrice délimitant une zone de contact inférieure. Une couche de multiplication de semi-conducteur est positionnée entre les deux zones de contact et une couche d'absorption semi-conductrice est placée entre la couche de multiplication et la couche de contact supérieure. La photodiode présente une faible capacitance et un faible champ à proximité des limites des couches semi-conductrices de multiplication et d'absorption.

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