H - Electricity – 01 – J
Patent
H - Electricity
01
J
H01J 1/30 (2006.01) H01J 1/312 (2006.01) H01L 29/76 (2006.01)
Patent
CA 2332556
A planar electron emitter, based on the existence of quasi-ballistic transport of electrons is disclosed. In its preferred embodiment the planar electron emitter structure consists of a body of finite gap pure semiconductor or insulator, the said body of macroscopic thickness ( 1mm) being terminated by two parallel surfaces and of a set of two electrodes deposited/grown on the said two free surfaces such that when a low external electrical field ( 100V/cm) is applied to this structure, consisting of two electrodes and the said semiconductor or insulating body sandwiched between them, a large fraction of electrons injected into the said semiconductor or insulator body from the negatively charged electrode (cathode) is quasi-ballistic in nature, that is this fraction of injected electrons is accelerated within the said semiconductor or insulator body without suffering any appreciable inelastic energy losses, thereby achieving sufficient energy and appropriate momentum at the positively charged electrode (anode) to be able to traverse through the said anode and to escape from the said structure into empty space (vacuum), said semiconductor or insulator body comprises a material or material system having a predetermined crystal orientation.
Cette invention a trait à un émetteur d'électrons plan fondé sur l'existence du transport quasi balistique d'électrons. Dans le mode de réalisation préféré, la structure de cet émetteur consiste en un corps semiconducteur ou isolant pur à intervalle fini. Ce corps d'épaisseur macroscopique (? 1 mm) se termine par deux surfaces parallèles et par un jeu de deux électrodes déposées/développées sur lesdites surfaces libres de sorte que, lorsqu'un faible champ électrique extérieur (? 100 V/cm) est appliqué à la structure, constituée des deux électrodes et du corps semiconducteur ou isolant pris en sandwich entre celles-ci, une fraction importante des électrons injectés dans ce corps semiconducteur ou isolant par l'électrode chargée négativement (la cathode) est de nature quasi balistique, c'est à dire que cette fraction d'électrons injectés est soumise à une accélération dans le corps semiconducteur ou isolant et ce, sans perte notable d'énergie non élastique, atteignant ainsi un seuil suffisant d'énergie et une quantité de mouvement adaptée au niveau de l'électrode chargée positivement (l'anode) pour lui permettre de traverser cette anode et de s'en échapper en direction d'un espace vide (vide). Ce semi-conducteur ou le corps isolant comporte un matériau ou un système ayant une orientation cristalline prédéterminée.
Delong Armin
Kolarik Vladimir
Nielsen Niels Ole
Viscor Petr
Delong Armin
Kolarik Vladimir
Nielsen Niels Ole
Ridout & Maybee Llp
Viscor Petr
LandOfFree
Planar electron emitter (pee) does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Planar electron emitter (pee), we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Planar electron emitter (pee) will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1827056