C - Chemistry – Metallurgy – 09 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
09
C
C09C 1/00 (2006.01)
Patent
CA 2489874
The present invention relates to plane-parallel structures of silicon/silicon oxide (silicon/silicon oxide flakes), obtainable by heating plane-parallel structures of SiOy in an oxygen-free atmosphere at a temperature above 400 ~C, wherein 0.70 <= y <= 1.8, or plane-parallel structures of silicon/silicon oxide, obtainable by heating plane-parallel structures of SiOx in an oxygen- free atmosphere at a temperature above 400 ~C, wherein 0.03 <= x <= 0.95, a process for their production and their use for the production of interference pigments.
L'invention concerne des structures planes-parallèles de silicium/oxyde de silicium (flocons de silicium/oxyde de silicium) pouvant être obtenues par chauffage de structures planes-parallèles de SiO¿y? dans une atmosphère exempte d'oxygène, à une température supérieure à 400 ·C, avec 0,70 = y = 1,8. Dans un autre mode de réalisation, l'invention concerne des structures planes-parallèles de silicium/oxyde de silicium pouvant être obtenues par chauffage de structures planes-parallèles de SiO¿x? dans une atmosphère exempte d'oxygène, à une température supérieure à 400 ·C, avec 0,03 = x = 0,95. L'invention concerne également un procédé de fabrication desdites structures et leur utilisation dans la fabrication de pigments d'interférence.
Bujard Patrice
Leybach Holger
Weinert Hilmar
Ciba Specialty Chemicals Holding Inc.
Fetherstonhaugh & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1903578