Plasma cvd system with an array of microwave plasma...

C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C

Patent

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C23C 16/48 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) C23C 16/511 (2006.01) C23C 16/54 (2006.01) H01J 37/32 (2006.01)

Patent

CA 2264017

The invention concerns a plasma CVD system (in particular a plasma pulse CVD system) with an array of microwave plasma electrodes (2a, b, c, d). According to the invention, in order to improve the homogeneity of the layer, interference is prevented by controlling adjacent plasma electrodes (2a, 2b; 2b, 2c; 2c, 2d) in a chronologically offset manner. To that end, micropulses (A, B) are provided within the macropulses of the plasma pulse CVD process. Additionally, the uniformity of the layer deposition at the interfaces between adjacent modules can be optimized by radio-frequency excitation by means of suitable electrodes (6, 62a-c), magnetic fields or the configuration of the gas inlets (5). The surface coated in an operating cycle can thus be scaled as required.

L'invention concerne un système de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) par plasma (notamment un système CVD par impulsions de plasma (PICVD)), comprenant une rangée d'électrodes à plasma activées par micro-ondes (2a, b, c, d). L'homogénéité de la couche est améliorée du fait que des interférences dues à l'excitation décalée dans le temps d'électrodes à plasma (2a, 2b; 2b, 2c; 2c, 2d) adjacentes sont évitées. A cet effet, il est prévu de produire des micro-impulsions (A, B) dans les macro-impulsions du processus de PICVD. En outre, l'uniformité avec laquelle la couche est déposée aux interfaces situées entre des modules adjacents peut être optimisée par excitation par radiofréquence à l'aide d'électrodes (6, 62a-c) appropriées, ainsi que par l'utilisation de champs magnétiques ou par la configuration des orifices d'admission de gaz (5). La surface recouverte en une seule opération peut ainsi être mise à l'échelle en fonction des besoins.

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