Plasma production device and method and rf driver circuit...

H - Electricity – 05 – H

Patent

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Details

H05H 1/46 (2006.01) H05H 1/24 (2006.01)

Patent

CA 2529794

A reactive circuit is disclosed as part of a method and system for generating high-density plasma that does not require the use of a dynamic matching network for directly driving a plasma exhibiting a dynamic impedance. The reactive network is designed to provide a small total reactance when the plasma reactance is at a first plasma reactance and presents a reactance that does not exceed a specified limit at a second plasma reactance. The first and second plasma reactance span a substantially fraction of an expected dynamic plasma reactance range. The first and second plasma reactance values may, for example, correspond to a high-expected plasma reactance limit and a low expected plasma reactance limit respectively or the first plasma reactance may correspond to an average expected plasma reactance.

L'invention concerne un circuit réactif en tant que partie d'un procédé et d'un système de génération de plasma à densité élevée qui ne requiert pas l'utilisation d'un réseau d'adaptation dynamique visant à exciter directement un plasma présentant une impédance dynamique. Ce réseau réactif est conçu pour engendrer une petite réactance totale, lorsque la réactance du plasma est au niveau d'une première réactance de plasma et présente une réactance qui ne dépasse pas une limite spécifiée au niveau d'une seconde réactance de plasma. Les première et seconde réactances de plasma couvrent une fraction d'une portée de réactance de plasma dynamique attendue. Les valeurs des première et seconde réactances de plasma peuvent, par exemple, correspondre respectivement à une limite de réactance de plasma prévue élevée et une limite de réactance plasma prévue basse ou la première réactance de plasma peut correspondre à une réactance de plasma prévue moyenne.

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