H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 23/31 (2006.01)
Patent
CA 2665361
A low profile, 1 or 2 die design, surface mount high power microelectronic package with coefficient of expansion (CTE) matched materials such as Silicon die to Molybdenum conductor (bond pads). The CTE matching of the materials in the package enables the device to withstand repeated, extreme temperature range cycling without failing or cracking. The package can be used for transient voltage suppression (TVS), Schottky diode, rectifier diode, or high voltage diodes, among other uses. The use of a heat sink metal conductor that has a very high modulus of elasticity allows for a very thin wall plastic locking to be utilized in order to minimize the footprint of the package.
L'invention concerne un boîtier microélectronique plat de forte puissance pour montage en surface, conçu pour 1 ou 2 puces, avec des matériaux aux coefficients de dilatation correspondants, tels qu'une puce en silicium et des conducteurs (plots de connexion) en molybdène. L'accord entre les coefficients de dilatation des matériaux du boîtier permet au dispositif de supporter un cyclage répété sur une gamme de températures extrêmes sans défaillance ni rupture. Le boîtier peut être utilisé, entre autres, pour la suppression des tensions transitoires (TVS), des diodes Schottky, des diodes rectificatrices, ou des diodes haute tension. L'emploi d'un conducteur métallique dissipateur thermique qui présente un module d'élasticité très élevé permet d'utiliser une fixation plastique de paroi très fine afin de minimiser l'empreinte du boîtier.
Autry Tracy
Barnes Christopher Alan
Digiacomo George A.
Kelly Stephen G.
Gowling Lafleur Henderson Llp
Microsemi Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2085052