C - Chemistry – Metallurgy – 09 – G
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
09
G
C09G 1/02 (2006.01)
Patent
CA 2378790
The invention provides a system for polishing one or more layers of a multi- layer substrate that includes a first metal layer and a second layer comprising (i) a liquid carrier, (ii) at least one oxidizing agent, (iii) at least one polishing additive that increases the rate at which the system polishes at least one layer of the substrate, wherein the polishing additive is selected from the group consisting of pyrophosphates, condensed phosphates, phosphonic acids and salts thereof, amines, amino alcohols, amides, imines, imino acids, nitriles, nitros, thiols, thioesters, thioethers, carbothiolic acids, carbothionic acids, thiocarboxylic acids, thiosalicylic acids, and mixtures thereof, and (iv) a polishing pad and/or an abrasive. The invention also provides a method of polishing a substrate comprising contacting a surface of a substrate with the system and polishing at least a portion of the substrate therewith. Moreover, the invention provides a method for polishing one or more layers of a multi-layer substrate that includes a first metal layer and a second layer comprising (a) contacting the first metal layer with the system, and (b) polishing the first metal layer with the system until at least a portion of the first metal layer is removed from the substrate.
La présente invention concerne un système de polissage de l'une au moins des couches d'un substrat multicouche fait d'une première couche métallique et d'une seconde couche. Ce système comporte (i) un vecteur liquide, (ii) au moins un oxydant, (iii) au moins un additif de polissage, et (iv) un tampon polisseur et/ou un abrasif. L'additif de polissage augmente la vitesse à laquelle le système polit l'une au moins des couches du substrat. En l'occurrence, l'additif de polissage est sélectionné dans le groupe constitué des pyrophosphates, des phosphates condensés, des acides phosphoniques et certains de leurs sels, des amines, des alcools aminés, des amides, des imines, des acides iminés, des acides thiocarboxyliques, des acides thiosalicyliques, et certains de leurs mélanges. L'invention concerne également un procédé de polissage de substrat impliquant la mise en contact d'une face du substrat avec le système et le polissage d'au moins une partie du substrat au moyen de système. L'invention concerne aussi un procédé permettant le polissage de l'une au moins des couches d'un substrat multicouche comprenant une première couche métallique et une seconde couche. A cet effet, on commence (a) par mettre en contact avec le système la première couche métallique, puis (b) on polit la première couche métallique au moyen du système jusqu'à avoir retirer du substrat au moins une partie de la première couche métallique.
Cherian Isaac K.
Grumbine Steven K.
Kaufman Vlasta Brusic
Wang Shumin
Zhou Renjie
Cabot Microelectronics Corporation
Cherian Isaac K.
Grumbine Steven K.
Kaufman Vlasta Brusic
Ogilvy Renault
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1955685