C - Chemistry – Metallurgy – 09 – G
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
09
G
C09G 1/02 (2006.01)
Patent
CA 2378793
The invention provides a system for polishing one or more layers of a multi- layer substrate that includes a first metal layer and a second layer comprising: i) a liquid carrier, ii) at least one oxidizing agent, iii) at least one polishing additive that increases the rate at which the system polishes at least one layer of the substrate, iv) at least one stopping compound with a polishing selectivity of the first metal layer:second layer of at least about 30:1, wherein the stopping compound is a cationically charged nitrogen containing compound selected from compounds comprising amines, imines, amides, imides, and mixtures thereof, and v) a polishing pad and/or an abrasive. The invention also provides a method of polishing a substrate comprising contacting a surface of a substrate with the system and polishing at least a portion of the substrate therewith. Moreover, the invention provides a method for polishing one or more layers of a multi-layer substrate that includes a first metal layer and a second layer comprising: a) contacting the first metal layer with the system, and b) polishing the first metal layer with the system until at least a portion of the first metal layer is removed from the substrate. Moreover, the present invention provides a composition for polishing one or more layers of a multi-layer substrate that includes a first metal layer and a second layer comprising: i) liquid carrier, ii) at least one oxidizing agent, iii) at least one polishing additive that increases the rate at which the system polishes at least one layer of the substrate, iv) at least one stopping compound with a polishing selectivity of the first metal layer:second layer of at least about 30:1, wherein the stopping compound is a cationically charged nitrogen containing compound selected from compounds comprising amines, imines, amides, imides, and mixtures thereof, to be used with (v) a polishing pad and/or an abrasive.
La présente invention concerne un système de polissage d'une couche au moins d'un substrat multicouche fait d'une première couche métallique et d'une seconde couche. Ce système se compose (i) d'un vecteur liquide, (ii) d'au moins un agent oxydant, (iii) d'au moins un additif de polissage augmentant la vitesse de polissage de l'une au moins des couches du substrat par le système, (iv) d'au moins un composé d'arrêt présentant une sélectivité de polissage première couche métallique : seconde couche d'au moins environ 30:1, et (v) d'un tampon de polissage et/ou d'un abrasif. En l'occurrence, le composé d'arrêt est un composé azoté cationiquement chargé du groupe des amines, imines, amides, imides, et les mélanges des mêmes. L'invention concerne également un procédé de polissage d'un substrat par lequel on met une surface du substrat en contact avec le système et on polit au moins une partie du substrat avec ce système. L'invention concerne aussi un procédé de polissage de l'une au moins des couches d'un substrat multicouche comprenant une première couche métallique et une seconde couche. A cet effet on commence par a) mettre en contact avec le système la première couche de métal, puis on b) polit la première couche métallique avec le système jusqu'à avoir retiré du substrat une partie au moins de la première couche métallique. L'invention concerne par ailleurs une composition permettant de polir l'une au moins des couches d'un substrat multicouche comprenant une première couche métallique et une seconde couches. Cette composition comprend i) un vecteur liquide, ii) au moins un agent oxydant, iii) au moins un additif de polissage augmentant la vitesse à laquelle le système polît l'une au moins des couches du substrat, iv) au moins un composé d'arrêt présentant une sélectivité de polissage première couche métallique : seconde couche d'au moins environ 30:1, s'utilisant avec (v) un tampon de polissage et/ou d'un abrasif. En l'occurrence, le composé d'arrêt est un composé azoté cationiquement chargé du groupe des amines, imines, amides, imides, et les mélanges des mêmes.
Cherian Isaac K.
Grumbine Steven K.
Kaufman Vlasta Brusic
Wang Shumin
Cabot Microelectronics Corporation
Cherian Isaac K.
Grumbine Steven K.
Kaufman Vlasta Brusic
Ogilvy Renault
LandOfFree
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