Polyloaded optical waveguide devices

Details Polyloaded optical waveguide devices Polyloaded optical waveguide devices

G - Physics

02

B

G02B 6/12 (2006.01) G02B 6/124 (2006.01) G02B 6/13 (2006.01) G02B 6/24 (2006.01) G02B 6/42 (2006.01) H01L 21/77 (2006.01) H01L 27/02 (2006.01)

Patent

CA 2450383

A device for coupling light into/from an integrated optical/electronic circuit disposed at least in part in a wafer having an insulator layer (152, 104) and an upper semiconductor layer that includes an optical waveguide (160). The integrated optical/electronic circuit includes at least one active optical waveguide device (150), and at least one passive optical waveguide device (800), each of which is associated with, at least in part, in the upper semiconductor layer. In one aspect, the passive optical waveguide device (800) can be created by deposing a polysilicon layer (191) on the upper semiconductor layer. In another aspect, the passive optical waveguide device can be created by etching a Total Internal reflection (TIR) boundary within the upper semiconductor layer.

L'invention concerne un dispositif pour injecter de la lumière dans un circuit optique/électronique intégré et l'extraire de ce dernier, ledit circuit étant disposé au moins en partie dans une plaquette présentant une couche d'isolant (152, 104) et une couche de semiconducteur supérieure qui comprend un guide d'onde optique (160). Le circuit optique/électrique comprend au moins un dispositif à guide d'onde optique actif (150), et au moins un dispositif à guide d'onde optique passif (800), chacun étant associé à au moins une partie de la couche de semiconducteur supérieure. Selon un aspect de l'invention, le dispositif à guide d'onde optique passif (800) peut être créé par dépôt d'une couche de silicium polycristallin (191) sur la couche de semiconducteur supérieure. Selon un autre aspect, le dispositif à guide d'onde optique passif peut être créé par attaque d'un limite à réflexion interne totale dans la couche de semiconducteur supérieure.

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