H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 51/30 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
Patent
CA 2270609
Device adapted for light emission comprising a plurality of component layers of which a first outer layer (4) is adapted for electron injection, a second opposing outer layer is adapted for "hole injection" (2), and one or more intermediate layers (3, 7) arranged therebetween are adapted for charge semi- conduction, wherein the intermediate layer(s) comprise at least one semi- conducting polymer adapted for electron transport and/or hole blocking (7), and at least one semi-conducting polymer adapted for hole transport and/or electron blocking (3), wherein the at least one semi-conducting polymer adapted for electron transport and/or hole blocking (7) comprises polymer selected from a nitrogen and/or sulphur containing polymer which is partially or substantially conjugated, a semi-conducting polymer for use in the device and novel processes for the preparation thereof, component layers substantially free of charge carrier quenching or trapping moieties for use as semi-conductors, process for the production thereof and method for the operation thereof.
L'invention concerne un dispositif d'émission de lumière comprenant plusieurs couches de composants, dont une première couche externe (4) est conçue pour une injection d'électrons, une deuxième couche externe opposée est conçue pour une "injection par trous" (2), et une ou plusieurs couches intermédiaires (3, 7) intercalées entre lesdites couches externes sont conçues pour une semi-conduction de charge. Une couche intermédiaire comprend au moins un polymère semi-conducteur conçu pour le transport d'électrons et/ou le colmatage de trous (7), et au moins un polymère semi-conducteur conçu pour le transport de trous et/ou le blocage d'électrons (3). Ledit polymère semi-conducteur adapté pour le transport d'électrons et/ou le colmatage de trous (7) comprend un polymère sélectionné dans un groupe constitué par un polymère partiellement ou sensiblement conjugué, à base de nitrogène et/ou de soufre, un polymère semi-conducteur pouvant être utilisé dans ledit dispositif et de nouveaux procédés de préparation dudit polymère, des couches de composants sensiblement dépourvues de fractions de coupage ou de piégeage de porteurs de charge et pouvant être utilisées comme semi-conducteurs, un procédé de fabrication et un procédé de mise en oeuvre dudit polymère.
Dailey Stuart
Monkman Andrew
Rebourt Eymard
Samuel Ifor David William
Fetherstonhaugh & Co.
University Of Durham
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1440519