C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/448 (2006.01) C23C 16/30 (2006.01) C23C 16/34 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
Patent
CA 2540592
Abstract The present invention is a low pressure physical vapour deposition method for the deposition of multi element sulfide thin film phosphor compositions for electroluminescent devices where a thermal source comprising a polysulfide compound provides the source of sulfur species for phosphor film deposition and/or annealing. The method is particularly useful for the deposition of phosphors for full colour ac electroluminescent displays employing thick film dielectric layers with a high dielectric constant.
La présente invention concerne un procédé de dépôt physique en phase vapeur à basse pression permettant le dépôt de compositions de phosphore en film mince à éléments sulfure multiples destinés à des dispositifs électroluminescents. Ce procédé comprend une source thermique, laquelle comprend un composé polysulfure qui fournit à cette source des espèces chimiques sulfure pour un dépôt de film de phosphore et/ou un recuit. Ce procédé convient particulièrement pour le dépôt de phosphore destiné à des afficheurs électroluminescents ac en couleur utilisant des couches diélectriques de film épais avec une constante diélectrique élevée.
Belluz Paul Barry Del Bel
Moore John Wesley
Stiles James Alexander Robert
Ifire Ip Corporation
Ifire Technology Corp.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1886631