Precursors for growth of heterometal-oxide films by mocvd

Details Precursors for growth of heterometal-oxide films by mocvd Precursors for growth of heterometal-oxide films by mocvd

C - Chemistry, Metallurgy

07

F

C07F 9/00 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) C23C 18/12 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/314 (2006.01)

Patent

CA 2336342

Metalorganic precursors for deposition of strontium tantalum and strontium niobium oxides by MOCVD techniques have the formula: SR[M(OR1)6-xLx]2 wherein x is from 1 to 6; M is Ta or Nb; R1 is a straight or branched chain alkyl group; and L is an alkoxide group of formula (I) wherein n is 0 or 1; X is N or O; R2 and R3 are the same or different and a straight or branched chain alkyl groups; and R4 is a straight or branched, optionally substituted alkyl chain.

L'invention concerne des précurseurs organométalliques permettant de déposer des oxydes de tantale de strontium et de niobium de strontium par des techniques MOCVD, ces précurseurs étant de formule: SR[M(OR¿1?)¿6-x?L¿x?]¿2?, dans laquelle x varie entre 1 et 6; M représente Ta ou Nb; R¿1? désigne un groupe alkyle à chaîne linéaire ou ramifiée; et L symbolise un groupe alcoxyde de formule (I), dans laquelle n est égal à 0 ou 1; X représente N ou O; R¿2? et R¿3? sont identiques ou différents et désignent des groupes alkyles à chaîne linéaire ou ramifiée; et R¿4? symbolise une chaîne alkyle linéaire ou ramifiée éventuellement substituée.

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