Preparation of cuxinygazsen (x=0-2, y=0-2, z=0-2, n=0-3)...

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H - Electricity

01

L

H01L 31/18 (2006.01) C23C 28/02 (2006.01) C25D 5/18 (2006.01) G03C 1/22 (2006.01) H01L 21/36 (2006.01) H01L 21/363 (2006.01) H01L 21/365 (2006.01) H01L 31/032 (2006.01) H01L 31/0336 (2006.01) C25D 3/56 (2006.01)

Patent

CA 2239786

High quality thin films of copper-indium-gallium-diselenide useful in the production of solar cells are prepared by electrodepositing at least one of the constituent metals (18) onto a glass/Mo substrate (12, 14), followed by physical vapor de-position (20) of copper and selenium or indium and selenium to adjust the final stoichiometry of the thin film to approximately Cu(In,Ga)Se2. Using an AC voltage of 1-100 KHz in combination with a DC voltage for electrodeposition improves the morphology and growth rate of the deposited thin film. An electrodeposition solution comprising at least in part an organic solvent may be used in conjunction with an increased cathodic potential to increase the gallium content of the electrodeposited thin film.

L'invention concerne l'élaboration de couches minces à haut rendement en cuivre-indium-gallium-diséléniure pour la fabrication de cellules solaires, par galvanoplastie d'au moins un des métaux constitutifs (18) sur un substrat en verre/molibdène (Mo) (12, 14), puis par déposition en phase gazeuse à procédé physique (20) de cuivre et de sélénium ou d'indium et de sélénium en vue d'ajuster la stoechiométrie finale de la fine pellicule approximativement au niveau suivant: Cu(In,Ga)Se2. En utilisant simultanément une tension alternative comprise entre 1 et 100 kHz et une tension continue pour la galvanoplastie, on améliore la morphologie et le degré de développement de la fine pellicule déposée. On peut utiliser simultanément une solution de galvanoplastie comprenant au moins en partie un solvant organique et une tension cathodique accrue afin d'augmenter la teneur en gallium de la fine couche déposée.

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