G - Physics
01
L
G01L 7/08 (2006.01) G01L 9/00 (2006.01)
Patent
CA 2215083
A good quality passive-state film is formed on a gas-contact face of a diaphragm of a pressure detector using a sensor chip to prevent corrosion on, or water content emission from, or catalytic action at a gas-contact face, thereby improving production quality in a semiconductor manufacturing process and providing high accuracy pressure detection. The passive-state film is formed on the gas-contact face of the diaphragm when the diaphragm is mounted on a diaphragm base. The diaphragm base is then fixedly secured to a sensor base in which a sensor chip is housed and a pressure transmitting medium is sealed in a gap between the sensor base and the diaphragm base.
Feuil de bonne qualité à l'état passif formé à la surface d'une membrane venant en contact avec le gaz dans un détecteur de pression utilisant une puce de détection pour prévenir la corrosion, l'émission d'eau ou les effets catalytiques à la surface de contact avec le gaz pour accroître la qualité dans un processus de fabrication de semiconducteurs et assurer une détection de pression de haute précision. Le feuil à l'état passif est formé à la surface de la membrane venant en contact avec le gaz pendant que la membrane est montée sur un support. La membrane est ensuite fixée à la base d'un capteur logeant une puce de détection; un milieu transmetteur de pression est scellé dans un espace aménagé entre la base du capteur et celle de la membrane.
Dohi Ryosuke
Ikeda Nobukazu
Nishino Koji
Ohmi Tadahiro
Fujikin Incorporated
Ohmi Tadahiro
Riches Mckenzie & Herbert Llp
LandOfFree
Pressure detector does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Pressure detector, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Pressure detector will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1534593