G - Physics – 01 – N
Patent
G - Physics
01
N
G01N 27/26 (2006.01) G01N 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2192719
In a process for the detection of organic vapours and aerosols by surface ionisation, more particularly amines, hydrazines and nitrogen-containing compounds that are produced from fires, the molecules concerned condense on a conductive device (4). Said device is heated by current pulses through a resistance heating (5) as a result of which the condensed molecules are thermally ionised. The ions produced are collected by a collector electrode (9) and the resulting ion current pulse is amplified by a transimpedance circuit (15). The current pulse for heating the conductive device (4) lasts until the ion current pulse has subsided and the conductive device (4) is freed from residual substances. As a result, the conductive device remains free from fouling and has a longer service life. The time-averaged power consumption of the process is less than 2 mW. The conductive device (4) has a resistance, zigzag-shaped heating (5) which is arranged as a thin layer on an Si3N4 membrane (3) which lies over an opening (2) of an undercut silicon chip (1). In another embodiment of the conductive device (4), a conductive layer (8) separated by an insulating layer (7) is arranged on the resistance heating (5).
Dans un processus de détection de vapeurs organiques et d'aérosols par ionisation en surface, plus particulièrement de détection d'amines, d'hydrazines et de substances contenant de l'azote produites par la combustion, les molécules en cause se condensent sur un dispositif conducteur (4). Ce dispositif est chauffé par des impulsions de courant qui traversent une résistance de chauffage (5), laquelle ionise thermiquement les molécules condensées. Les ions produits sont collectés par une électrode (9) et l'impulsion de courant ionique résultante est amplifiée par un circuit à transimpédance (15). L'impulsion de courant utilisée pour chauffer le dispositif conducteur (4) dure jusqu'à l'évanouissement de l'impulsion du courant ionique et le dispositif conducteur (4) est alors libre de substances résiduelles. Comme résultat, le dispositif conducteur reste libre de toute saleté et a une durée de service plus grande. La puissance moyenne du processus est inférieur à 2mW. Le dispositif conducteur (4) porte une résistance de chauffage en zigzag (5) se présentant sous la forme d'une mince couche déposée sur une membrane de Si3N4 (3) recouvrant une ouverture (2) dans une puce de silicium sous-jacente (1). Dans une autre concrétisation du dispositif conducteur (4), une couche conductrice (8) séparée par une couche isolante (7) est déposée sur la résistance de chauffage (5).
Loepfe Markus
Ryser Peter
Wieser Dieter
Cerberus Ag
Kirby Eades Gale Baker
Siemens Building Technologies Ag
LandOfFree
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