C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 4/12 (2006.01) C23C 4/18 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01)
Patent
CA 2556786
A process for the manufacture of sputtering target comprises the steps of i) providing a substrate; ii) plasma melting of a material selected to form the sputtering target, yielding droplets of molten material; and iii) deposition of the droplets onto the substrate, yielding a sputtering target comprised of the coated layer of the material on the substrate. In some application, it might be preferable that the substrate be a temporary substrate and iv) to join the coated temporary target via its coated layer to a permanent target backing material; and v) to remove the temporary substrate, yielding a sputtering target comprised of the coated layer of the material on the permanent target backing material. The plasma deposition step is carried out at atmospheric pressure or under soft vacuum conditions using, for example, d.c. plasma spraying, d.c. transferred arc deposition or induction plasma spraying. The process is simple and does not require subsequent operation on the resulting target.
L'invention concerne un procédé permettant de produire une cible de pulvérisation, qui consiste: i) à fournir un substrat; ii) à faire fondre par procédé plasma un matériau sélectionné afin de former la cible de pulvérisation, ce qui produit des gouttelettes de matériau fondu; iii) à déposer lesdites gouttelettes sur le substrat, ce qui produit une cible de pulvérisation composée d'une couche de matériau recouvrant ledit substrat (dans certaines applications, il peut être préférable que le substrat soit un substrat temporaire); iv) à relier une cible temporaire revêtue via sa couche de revêtement à un matériau de support permanent; et v) à retirer le substrat temporaire, ce qui produit sur le matériau de support cible permanent. L'étape de dépôt de plasma s'effectue sous pression atmosphérique ou dans des conditions de vide préalable, par exemple, par pulvérisation de plasma d.c., par dépôt par plasma à arc transféré d.c. ou par pulvérisation de plasma par induction. Ledit procédé est simple et ne requière pas d'opération ultérieure sur la cible résultante.
Boulos Maher I.
Jurewicz Jerzy W.
Bcf Llp
Tekna Plasma Systems Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1615085